下一代DRAM，三星大幅扩产

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来 源 : 内容编译自etnews 。

三星电子全面启动下一代DRAM 扩产计划，韩媒《ET News》报导，三星预计在明年底前将10 纳米级第六代DRAM月产能扩大至20 万片，远高于目前既有规模。

根据规划，三星将在今年第4 季先达到月产6 万片，明年第2 季再新增8 万片，并于明年第4 季进一步扩增6 万片，整体月产能达到20 万片。相关时程以设备完成建置为基准，目标是于各阶段具备立即量产条件。知情人士指出:「三星将在明年底前持续强化1c DRAM 的供给能力，意在提前卡位下一代市场。」

1c DRAM 做为最新世代产品，线宽低于11 奈米，并搭载多层EUV 制程，属于三星近年主攻的高阶记忆体。此次扩充让1c DRAM 产能单独达到三星整体DRAM 月产能约三分之一的规模，甚至超越三星2022 年半导体景气高峰期所新增的13 万片扩建量。业界推估，三星将透过既有产线制程转换，加上平泽P4 新厂投资，完成上述扩产。

由于AI 推升DRAM 需求全面走强，不仅HBM 供应吃紧，连一般DRAM 也呈现缺货，甚至出现「提前下单尚未生产的货」的抢料情况。三星成功开发1c DRAM 后，因此决定加大投入，以具竞争力的产品组合在下一波DRAM 周期中抢占定价权。

近期三星宣布未来五年将投入4,500 兆韩元于先进制程与产能建置，强调AI 时代已大幅推升记忆体中长期需求，需提前布局产线以因应市场变化。外界也关注，随着1c DRAM 量产规模扩大，三星是否能在下一轮需求周期中重新提升DRAM 市场占比，缩小与SK 海力士之间的差距。

三星DRAM，重返第一

三星电子在今年第三季度重夺全球DRAM市场销售第一的宝座。这主要得益于高带宽内存出货量的增长以及通用DRAM产品价格的上涨，从而带动了创纪录的销售增长。

据市场研究公司ChinaFlashMarket 11月19日发布的数据显示，三星电子第三季度DRAM销售额环比增长29.6%，达到139.42亿美元。该公司市场份额达到34.8%，重回市场第一的位置。今年上半年，由于HBM市场暂时陷入困境，三星电子一度失去了市场第一的宝座。下半年，该公司业务重回正轨，呈现复苏态势。

同期，SK海力士的销售额为137.9亿美元，以34.4%的市场份额位居第二。三星电子与SK海力士的市场份额差距仅为0.4个百分点，表明市场对领先地位的竞争依然激烈。排名第三的美光科技的销售额为89.84亿美元(约合13.16万亿韩元)，市场份额为22.4%。

CFM指出，三星电子扩大HBM供应量以及通用DRAM价格坚挺是推动性能反弹的关键因素。该公司第三季度HBM位单元出货量较上一季度激增85%。这主要归功于向NVIDIA开始交付第五代HBM3E。人工智能数据中心对内存需求的激增导致PC和智能手机等消费级IT设备对DRAM的供应短缺，推高了价格。

自数据统计开始以来，整体内存市场规模也创下新高。第三季度全球DRAM市场总销售额达到400.37亿美元，环比增长24.7%。与去年同期相比，增幅高达54%。NAND闪存市场也录得184.22亿美元(约合26.9万亿韩元)的销售额，环比增长16.8%。

三星电子进一步巩固了其在NAND闪存市场的领先地位。该公司以53.66亿美元的NAND闪存销售额继续保持第一的位置，市场份额达到29.1%。紧随其后的是SK海力士(19.2%)、铠侠(16.5%)、西部数据(12.5%)和美光(12.2%)。

预计存储器市场繁荣势头将在第四季度延续。CFM预测，由于各应用领域的存储器供应持续短缺，且供应商库存水平仍然较低，因此价格将保持强势。预计第四季度存储器市场规模将再创新高。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4231期内容，欢迎关注。

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